NSS40501UW3T2G, Trans GP BJT NPN 40V 5A 1500mW 3-Pin WDFN EP T/R
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:NSS40501UW3T2G
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT QUAD 2-INPUT OR GATE
Дата загрузки
20.02.2024
Вес и габариты
вес, г
1
Высота
0.75 mm
Информация о производителе
Производитель
ON Semiconductor***
Бренд
ON Semiconductor***
Основные
длина
2 mm
категория
Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
200
конфигурация
Single
квалификация
AEC-Q101
максимальная рабочая температура
+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора
5 A
минимальная рабочая температура
55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)
6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)
40 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.
40 V
партномер
8001171117
pd - рассеивание мощности
1500 mW
подкатегория
Transistors
полярность транзистора
NPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)
150 MHz
размер фабричной упаковки
3000
серия
NSS40501UW3
тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка
ON Semiconductor
упаковка / блок
WDFN-3
вид монтажа
SMD/SMT
Время загрузки
1:30:43
Ширина
2 мм
0.0
общая оценка
Всего 0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26