STB55NF06LT4, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 55 А, 0.014 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: STB55NF06LT4
N-Channel STripFET ™ II, STMicroelectronics МОП-транзисторы STripFET ™ с широким диапазоном напряжения пробоя обеспечивают сверхнизкий заряд затвора и низкое сопротивление в открытом состоянии.
Основные
вес, г1.69
mounting typeПоверхностный монтаж
тип корпусаD2PAK (TO-263)
length10.75мм
540
+
Бонус: 10.8 !
Бонусная программа
Итого: 540
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
N-Channel STripFET ™ II, STMicroelectronics МОП-транзисторы STripFET ™ с широким диапазоном напряжения пробоя обеспечивают сверхнизкий заряд затвора и низкое сопротивление в открытом состоянии.
Основные
вес, г1.69
mounting typeПоверхностный монтаж
тип корпусаD2PAK (TO-263)
length10.75мм
minimum operating temperature-55 °C
width10.4мм
pin count3
maximum operating temperature+175 °C
seriesSTripFET II
height4.6мм
Вес и габариты
number of elements per chip1
максимальное рассеяние мощности95 Вт
channel typeN
transistor configurationОдинарный
maximum drain source voltage60 В
максимальное напряжение затвор-исток-16 В, +16 В
maximum continuous drain current55 А
maximum drain source resistance20 мΩ
типичный заряд затвора при vgs27 нКл при 4,5 В
channel modeПоднятие
материал транзистораКремний
minimum gate threshold voltage1V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль