MMBT2222AT

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes MMBT2222AT
Дата загрузки22.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
97
+
Бонус: 1.94 !
Бонусная программа
Итого: 97
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ЭлектроэлементTransistor GP BJT NPN 40V 0.6A 3-Pin SOT-523 T/R - Tape and Reel (Alt: MMBT2222AT-7-F)
Дата загрузки22.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo75 V
collector-emitter saturation voltage1 V
collector- emitter voltage vceo max40 V
configurationSingle
dc collector/base gain hfe min75
dc current gain hfe max375
emitter- base voltage vebo6 V
factory pack quantity3000
gain bandwidth product ft300 MHz
height0.75 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
length1.6 mm
manufacturerDiodes Incorporated
maximum dc collector current0.6 A
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
package / caseSOT-523-3
packagingReel
партномер8002006994
pd - power dissipation150 mW
product categoryBipolar Transistors-BJT
rohsDetails
seriesMMBT2222
transistor polarityNPN
Время загрузки22:21:17
width0.8 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль