Name: DTC114EM3T5G
Brand: ON Semiconductor***

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor DTC114EM3T5G

Подробное описание

Дата загрузки	20.02.2024
Вес и габариты
вес, г	3.32
Высота	0.5 mm
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***

Все характеристики

110 ₽

– +

Бонус: 2.2 !

Бонусная программа

Итого: 110 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

ЭлектроэлементBRT TRANSISTOR, 50V, 10K; Digital Transistor Polarity:Single NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:100mA; Base Input Resistor R1:10kohm; Base-Emitter Resistor R2:10kohm; Resistor Ratio, R1 / R2:1(Ratio); RF Transistor Case:SOT-723; No. of Pins:3 Pin; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:AEC-Q101; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018); No. of Pins:3Pins

Дата загрузки	20.02.2024
Вес и габариты
вес, г	3.32
Высота	0.5 mm
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***
Бренд	ON Semiconductor***
Основные
collector- emitter voltage vceo max	50 V
configuration	Single
continuous collector current	0.1 A
dc collector/base gain hfe min	35, 60
dc current gain hfe max	35
длина	1.2 mm
factory pack quantity	8000
height	0.5 mm
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта	Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	35
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	35, 60
конфигурация	Single
квалификация	AEC-Q101
length	1.2 mm
максимальная рабочая температура	+ 150 C
manufacturer	ON Semiconductor
maximum operating temperature	+150 C
минимальная рабочая температура	55 C
minimum operating temperature	-55 C
mounting style	SMD/SMT
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	50 V
непрерывный коллекторный ток	0.1 A
package / case	SOT-723-3
packaging	Reel
партномер	8002972400
pd - power dissipation	260 mW
pd - рассеивание мощности	260 mW
peak dc collector current	100 mA
пиковый постоянный ток коллектора	100 mA
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN
product category	Bipolar Transistors-Pre-Biased
размер фабричной упаковки	8000
rohs	Details
series	DTC114EM3
серия	DTC114EM3
типичное входное сопротивление	10 kOhms
типичный коэффициент деления резистора	1
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
торговая марка	ON Semiconductor
transistor polarity	NPN
typical input resistor	10 kOhms
typical resistor ratio	1
упаковка / блок	SOT-723-3
вид монтажа	SMD/SMT
Время загрузки	2:01:22
Ширина	0.8 мм
width	0.8 mm

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

Теги:

ON Semiconductor***Транзисторы биполярные (BJTs)DTC114EM3T5G DTC114EM3