Name: IXTP62N15P, Транзистор: N-MOSFET, PolarHT™, полевой, 150В, 62А, 350Вт, TО220
Brand: IXYS
SKU: IXTP62N15P

IXTP62N15P, Транзистор: N-MOSFET, PolarHT™, полевой, 150В, 62А, 350Вт, TО220

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT N-канальные силовые МОП-транзисторы, IXYS HiperFET ™ серии Polar ™ N-канальные силовые МОП-транзисторы с быстрым внутренним диодом (HiPerFET ™) от IXYS

Подробное описание

Бренд: IXYS

Информация о производителе
Производитель	IXYS
Основные
вес, г	2.03
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Through Hole

Все характеристики

840 ₽

– +

Бонус: 16.8 !

Бонусная программа

Итого: 840 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Информация о производителе
Производитель	IXYS
Основные
вес, г	2.03
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Through Hole
operating temperature	-55В°C ~ 175В°C (TJ)
package	Tube
package / case	TO-220-3
rohs status	ROHS3 Compliant
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+175 °C
минимальная рабочая температура	-55 °C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	50
тип продукта	MOSFET
торговая марка	IXYS
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-220-3
eccn	EAR99
htsus	8541.29.0095
серия	HiperFET, Polar
reach status	REACH Unaffected
supplier device package	TO-220AB
длина	10.66мм
время нарастания	38 ns
время спада	35 ns
california prop 65	Warning Information
тип корпуса	TO-220
тип монтажа	Монтаж на плату в отверстия
число контактов	3
размеры	10.66 x 4.83 x 9.15мм
series	PolarHTв„ў ->
pd - рассеивание мощности	350 W
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты
технология	Si
количество элементов на ис	1
максимальное рассеяние мощности	350 Вт
конфигурация	Single
тип канала	N
technology	MOSFET (Metal Oxide)
transistor configuration	Одинарный
id - непрерывный ток утечки	62 A
rds вкл - сопротивление сток-исток	40 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	150 V
vgs - напряжение затвор-исток	20 V
канальный режим	Enhancement
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	76 нс
типичное время задержки при включении	27 ns
максимальное сопротивление сток-исток	40 мΩ
максимальное напряжение затвор-исток	-20 В, +20 В
maximum gate threshold voltage	5.5V
максимальное напряжение сток-исток	150 В
типичный заряд затвора при vgs	70 нКл при 10 В
номер канала	Поднятие
current - continuous drain (id) @ 25в°c	62A (Tc)
drain to source voltage (vdss)	150V
drive voltage (max rds on, min rds on)	10V
fet type	N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs	70nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds	2250pF @ 25V
power dissipation (max)	350W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs	40mOhm @ 31A, 10V
vgs (max)	В±20V
vgs(th) (max) @ id	5.5V @ 250ВµA
максимальный непрерывный ток стока	62 А
материал транзистора	Кремний
типичное время задержки включения	27 нс
категория	Мощный МОП-транзистор
типичная входная емкость при vds	2250 пФ при 25 В
Высота	9.15 мм
Ширина	4.83 мм

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки