SIHF9520S-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
330
+
Бонус: 6.6 !
Бонусная программа
Итого: 330
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки1000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковка / блокTO-263-3
серияSIH
длина10.67 mm
время нарастания29 ns
время спада25 ns
pd - рассеивание мощности60 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки6.8 A
qg - заряд затвора18 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток600 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.2 S
полярность транзистораP-Channel
тип транзистора1 P-Channel
типичное время задержки выключения21 ns
типичное время задержки при включении29 ns
Высота 4.83 мм
Ширина9.65 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль