NSVBC846BM3T5G, 65V 265mW 200@2mA,5V 100mA NPN SOT7233 Bipolar Transistors BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NSVBC846BM3T5G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NSVBC846BM3T5G, 65V 265mW 200@2mA,5V 100mA ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
23
+
Бонус: 0.46 !
Бонусная программа
Итого: 23
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT SS XSTR NPN
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.450
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)80 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.65 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.6 V
непрерывный коллекторный ток100 mA
партномер8011734982
pd - рассеивание мощности265 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)100 MHz
размер фабричной упаковки8000
серияBC846BM3
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor
упаковка / блокSOT-723-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки0:14:18
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль