TK35N65W5,S1F

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор МОП-транзистор NChtrr130ns 0.08ohm DTMOS
Основные
вес, г38
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
2 480
+
Бонус: 49.6 !
Бонусная программа
Итого: 2 480
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор МОП-транзистор NChtrr130ns 0.08ohm DTMOS
Основные
вес, г38
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки30
тип продуктаMOSFET
торговая маркаToshiba
упаковка / блокTO-247-3
серияTK35N65W
длина15.94 mm
pd - рассеивание мощности270 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки35 A
qg - заряд затвора115 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток80 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток650 V
vgs - напряжение затвор-исток30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4.5 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
Высота 20.95 мм
Ширина5.02 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль