TIP29AG, Bipolar Transistors - BJT 1A 60V 30W NPN

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: TIP29AG
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor TIP29AG, Bipolar Transistors - BJT 1A 60V 30W NPN
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г6
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
310
+
Бонус: 6.2 !
Бонусная программа
Итого: 310
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Transistor GP BJT NPN 60V 1A 3-Pin TO-220 Box - Boxed Product (Development Kits) (Alt: TIP29A)
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г6
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo60 V
collector-emitter saturation voltage0.7 V
collector- emitter voltage vceo max60 V
configurationSingle
continuous collector current1 A
dc collector/base gain hfe min40
emitter- base voltage vebo5 V
factory pack quantity50
gain bandwidth product ft3 MHz
height9.28 mm(Max)
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
length10.28 mm(Max)
manufacturerON Semiconductor
maximum dc collector current1 A
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-65 C
mounting styleThrough Hole
package / caseTO-220-3
packagingTube
партномер8005526804
pd - power dissipation2 W
product categoryBipolar Transistors-BJT
rohsDetails
seriesTIP29A
transistor polarityNPN
unit weight0.211644 oz
Время загрузки0:51:10
width4.82 mm(Max)
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль