Name: TTC015B,Q, Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR TO-126N PC=10W F=1MHZ
Brand: Toshiba
SKU: TTC015B,Q

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba TTC015B,Q, Bipolar Transistors - BJT Pb-F ...

Подробное описание

190 ₽

– +

Бонус: 3.8 !

Бонусная программа

Итого: 190 ₽

Купить

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Дата загрузки	12.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.84
Информация о производителе
Производитель	Toshiba
Бренд	Toshiba
Основные
collector- base voltage vcbo:	160 V
collector-emitter saturation voltage:	300 mV
collector- emitter voltage vceo max:	160 V
configuration:	Single
continuous collector current:	2 A
dc collector/base gain hfe min:	100
dc current gain hfe max:	200
emitter- base voltage vebo:	7 V
factory pack quantity: factory pack quantity:	250
gain bandwidth product ft:	150 MHz
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:	Toshiba
maximum dc collector current:	2 A
maximum operating temperature:	+150 C
mounting style:	Through Hole
package/case:	TO-126N-3
packaging:	Tray
партномер	8005269954
pd - power dissipation:	1.5 W
product category:	Bipolar Transistors-BJT
product type:	BJTs-Bipolar Transistors
series:	TTC015B
subcategory:	Transistors
technology:	Si
transistor polarity:	NPN
Время загрузки	23:55:27

Отзывов нет

Кнопки

Теги: