Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор Power МОП-транзистор N-Channel

Подробное описание

Основные
вес, г	6
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C

1 380 ₽

– +

Бонус: 27.6 !

Бонусная программа

Итого: 1 380 ₽

Купить

Основные
вес, г	6
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	50
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Toshiba
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-220-3
серия	TK25E60X
длина	10.16 mm
время нарастания	40 ns
время спада	4 ns
коммерческое обозначение	DTMOSIV-H
pd - рассеивание мощности	180 W
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
id - непрерывный ток утечки	25 A
qg - заряд затвора	60 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	120 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
канальный режим	Enhancement
полярность транзистора	N-Channel
типичное время задержки выключения	100 ns
типичное время задержки при включении	80 ns
Высота	15.1 мм
Ширина	4.45 мм

Отзывов нет

Кнопки