TK12A60W,S4VX, Trans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: TK12A60W,S4VX
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
МОП-транзистор N-Ch 600V 11.5A 35W DTMOSIV 890pF 25nC
| Основные | |
| вид монтажа | Through Hole |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| подкатегория | MOSFETs |
| размер фабричной упаковки | 50 |
| тип продукта | MOSFET |
| торговая марка | Toshiba |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | TO-220-3 |
| серия | TK12A60W |
| длина | 10 mm |
| время нарастания | 23 ns |
| время спада | 5.5 ns |
| коммерческое обозначение | DTMOSIV |
| pin count | 3 |
| packaging | Magazine |
| product category | Power MOSFET |
| pd - рассеивание мощности | 35 W |
| количество каналов | 1 Channel |
| automotive | No |
| eu rohs | Compliant |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| mounting | Through Hole |
| part status | Active |
| pcb changed | 3 |
| standard package name | TO-220 |
| supplier package | TO-220SIS |
| eccn (us) | EAR99 |
| maximum power dissipation (mw) | 35000 |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| configuration | Single |
| package height | 15 |
| package length | 10 |
| package width | 4.5 |
| process technology | DTMOSIV |
| Вес и габариты | |
| технология | Si |
| number of elements per chip | 1 |
| конфигурация | Single |
| channel type | N |
| tab | Tab |
| material | Si |
| id - непрерывный ток утечки | 11.5 A |
| qg - заряд затвора | 25 nC |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 300 mOhms |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.7 V |
| канальный режим | Enhancement |
| полярность транзистора | N-Channel |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| типичное время задержки выключения | 85 ns |
| типичное время задержки при включении | 45 ns |
| channel mode | Enhancement |
| maximum continuous drain current (a) | 11.5 |
| maximum drain source resistance (mohm) | 300@10V |
| maximum drain source voltage (v) | 600 |
| maximum gate source leakage current (na) | 1000 |
| maximum gate source voltage (v) | ±30 |
| maximum gate threshold voltage (v) | 3.7 |
| maximum idss (ua) | 10 |
| typical fall time (ns) | 5.5 |
| typical gate charge @ 10v (nc) | 25 |
| typical gate charge @ vgs (nc) | 25@10V |
| typical input capacitance @ vds (pf) | 890@300V |
| typical rise time (ns) | 23 |
| military | No |
| Высота | 15 мм |
| Ширина | 4.5 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
