BUX87, Bipolar Transistors - BJT NPN High Volt Power

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BUX87
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ST Microelectronics BUX87, Bipolar Transistors - BJT NPN High ...
STMicroelectronics
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.06
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
БрендSTMicroelectronics
350
+
Бонус: 7 !
Бонусная программа
Итого: 350
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT NPN High Volt Power
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.06
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
БрендSTMicroelectronics
Основные
base product numberBUX87 ->
categoryBipolar Power
configurationSingle
current - collector cutoff (max)100ВµA
current - collector (ic) (max)500mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce12 @ 40mA, 5V
eccnEAR99
frequency20(MHz)
frequency (max)20 MHz
frequency - transition20MHz
htsus8541.29.0095
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора0.5 A
maximum collector base voltage1000 V
maximum collector emitter voltage450 V
maximum dc collector current500 mA
maximum emitter base voltage5 V
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation40 W
минимальная рабочая температура65 C
minimum dc current gain12
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mountingThrough Hole
mounting typeThrough Hole
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.450 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1 V
непрерывный коллекторный ток0.5 A
number of elements1
number of elements per chip1
operating temperature150В°C (TJ)
operating temperature classificationMilitary
operating temp range-65C to 150C
other related documentshttp://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
output powerNot Required(W)
packageTube
package / caseTO-225AA, TO-126-3
package typeSOT-32
packagingRail/Tube
партномер8004672662
pd - рассеивание мощности40 W
pin count3+Tab
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power dissipation40(W)
power - max40W
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)20 MHz
rad hardenedNo
размер фабричной упаковки2000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
серияBUX87
supplier device packageSOT-32-3
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаSTMicroelectronics
transistor configurationSingle
transistor polarityNPN
transistor typeNPN
typeNPN
упаковкаTube
упаковка / блокSOT-32-3
vce saturation (max) @ ib, ic1V @ 20mA, 200mA
вид монтажаThrough Hole
voltage - collector emitter breakdown (max)450V
Время загрузки13:56:34
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль