Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFETМОП-транзисторы DTMOSVIМОП-транзисторы Toshiba серии DTMOSVI обладают низким сопротивлением сток-исток в открытом состоянии (R DS(ON) = 0,033 Ом (тип.)). Эти устройства имеют напряжение сток-исток 650В при токе стока 57А. МОП-транзисторы серии DTMOSVI обеспечивают высокую скорость переключения при меньшей емкости. Эти МОП-транзисторы идеально подходят для использования в импульсных источниках питания.

Подробное описание

Основные
вес, г	6
moisture sensitivity level (msl)	Not Applicable
mounting type	Through Hole
operating temperature	150В°C

Все характеристики

3 070 ₽

– +

Бонус: 61.4 !

Бонусная программа

Итого: 3 070 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Основные
вес, г	6
moisture sensitivity level (msl)	Not Applicable
mounting type	Through Hole
operating temperature	150В°C
package	Tube
package / case	TO-247-3
rohs status	RoHS Compliant
eccn	EAR99
htsus	8541.29.0095
supplier device package	TO-247
base product number	TK32 ->
factory pack quantity: factory pack quantity:	30
manufacturer:	Toshiba
maximum operating temperature:	+150 C
minimum operating temperature:	-55 C
mounting style:	Through Hole
product category:	MOSFET
product type:	MOSFET
series:	TK040N65Z
subcategory:	MOSFETs
packaging:	Tube
Вес и габариты
package/case:	TO-247-3
tradename:	DTMOSVI
pd - power dissipation:	360 W
technology	MOSFET (Metal Oxide)
number of channels:	1 Channel
technology:	Si
configuration:	Single
current - continuous drain (id) @ 25в°c	57A (Ta)
drain to source voltage (vdss)	650V
drive voltage (max rds on, min rds on)	10V
fet type	N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs	105nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds	6250pF @ 300V
power dissipation (max)	360W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs	40mOhm @ 28.5A, 10V
vgs (max)	В±30V
vgs(th) (max) @ id	4V @ 2.85mA
channel mode:	Enhancement
id - continuous drain current:	57 A
qg - gate charge:	105 nC
rds on - drain-source resistance:	40 mOhms
transistor polarity:	N-Channel
transistor type:	1 N-Channel
vds - drain-source breakdown voltage:	650 V
vgs - gate-source voltage:	-30 V, +30 V
vgs th - gate-source threshold voltage:	3 V
typical turn-off delay time:	170 ns
typical turn-on delay time:	120 ns
fall time:	5 ns
rise time:	65 ns

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки