MMBT489LT1G, Транзистор: NPN; биполярный; 30В; 2А; 310/710мВт; SOT23

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMBT489LT1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MMBT489LT1G, Транзистор: NPN; биполярный ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
61
+
Бонус: 1.22 !
Бонусная программа
Итого: 61
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 2 А
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo50 V
collector-emitter saturation voltage0.2 V
collector- emitter voltage vceo max30 V
configurationSingle
continuous collector current1 A
dc collector/base gain hfe min300
emitter- base voltage vebo5 V
factory pack quantity3000
gain bandwidth product ft100 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturerON Semiconductor
maximum dc collector current1 A
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
package / caseSOT-23-3
packagingCut Tape or Reel
партномер8017549834
pd - power dissipation310 mW
product categoryBipolar Transistors-BJT
product typeBJTs-Bipolar Transistors
seriesMMBT489
subcategoryTransistors
transistor polarityNPN
Время загрузки1:29:06
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль