Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETsLow drain-source on-resistance: RDS(ON) = 28 mΩ (typ.) (VGS = -10 V) Low leakage current: IDSS = -10 μA (max) (VDS = -40 V)

Подробное описание

Основные
mounting type	Surface Mount
package type	DPAK(TO-252)
width	7.18mm
pin count	3

Все характеристики

78 ₽

– +

Бонус: 1.56 !

Бонусная программа

Итого: 78 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETsLow drain-source on-resistance: RDS(ON) = 28 mΩ (typ.) (VGS = -10 V) Low leakage current: IDSS = -10 μA (max) (VDS = -40 V)

Основные
mounting type	Surface Mount
package type	DPAK(TO-252)
width	7.18mm
pin count	3
maximum operating temperature	+150 C
Вес и габариты
number of elements per chip	1
channel type	P
transistor configuration	Single
maximum drain source voltage	40 V
maximum gate source voltage	±20 V
maximum continuous drain current	15 A
maximum gate threshold voltage	2V
maximum drain source resistance	48 mΩ
channel mode	Enhancement
minimum gate threshold voltage	0.8V
maximum power dissipation	29 W
typical gate charge @ vgs	26 nC 10 V
forward diode voltage	1.2V

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки