DDTC142JE-7-F

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-BiasedБиполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) NPN - с предварительным смещением 50 В 100 мА 200 МГц 150 мВт поверхностный монтаж SOT-523
Вес и габариты
base product numberDDTC142 ->
current - collector cutoff (max)500nA
current - collector (ic) (max)100mA
15
+
Бонус: 0.3 !
Бонусная программа
Итого: 15
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-BiasedБиполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) NPN - с предварительным смещением 50 В 100 мА 200 МГц 150 мВт поверхностный монтаж SOT-523
Вес и габариты
base product numberDDTC142 ->
current - collector cutoff (max)500nA
current - collector (ic) (max)100mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce56 @ 10mA, 5V
eccnEAR99
frequency - transition200MHz
htsus8541.21.0075
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
packageTape & Reel (TR)Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Cut T
package / caseSOT-523
power - max150mW
reach statusREACH Unaffected
resistor - base (r1)470 Ohms
resistor - emitter base (r2)10 kOhms
rohs statusROHS3 Compliant
supplier device packageSOT-523
transistor typeNPN - Pre-Biased
vce saturation (max) @ ib, ic300mV @ 250ВµA, 5mA
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль