SUP40012EL-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 40V Vds +/-20V Vgs TO-220AB
Основные
вес, г3.698
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 175 C
700
+
Бонус: 14 !
Бонусная программа
Итого: 700
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 40V Vds +/-20V Vgs TO-220AB
Основные
вес, г3.698
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки500
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
время нарастания12 ns
время спада18 ns
pd - рассеивание мощности150 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки150 A
qg - заряд затвора195 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток1.79 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток40 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.230 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения65 ns
типичное время задержки при включении25 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль