Транзисторы и сборки MOSFETкол-во в упаковке: 50, корпус: TO263, АБ МОП-транзистор с каналом P, от 100 до 400 В, Vishay Semiconductor

Подробное описание

140 ₽

– +

Бонус: 2.8 !

Бонусная программа

Итого: 140 ₽

Купить

Транзисторы и сборки MOSFETкол-во в упаковке: 50, корпус: TO263, АБ МОП-транзистор с каналом P, от 100 до 400 В, Vishay Semiconductor

Вес и габариты
channel mode	Enhancement
channel type	P
height	4.83mm
крутизна характеристики s,а/в	4.1
length	10.41mm
максимальное пороговое напряжение затвор-исток uзи макс.,в	-4
maximum continuous drain current	11 A
maximum drain source resistance	500 mΩ
maximum drain source voltage	200 V
maximum gate source voltage	-20 V, +20 V
maximum operating temperature	+150 °C
maximum power dissipation	3 W
minimum gate threshold voltage	2V
minimum operating temperature	-55 °C
mounting type	Surface Mount
number of elements per chip	1
package type	D2PAK (TO-263)
pin count	3
сопротивление канала в открытом состоянии rси вкл.,мом	500
температура, с	-55…+150
transistor configuration	Single
transistor material	Si
typical gate charge @ vgs	44 nC @ 10 V
вес, г	2.18
width	9.65mm

Отзывов нет

Кнопки

IRF9640SPBF