STW65N65DM2AG

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
МОП-транзистор Automotive-grade N-channel 650 V, 0.042 Ohm typ., 60 A MDmesh DM2 Power МОП-транзистор in a TO-247 package
Основные
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
4 400
+
Бонус: 88 !
Бонусная программа
Итого: 4 400
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор Automotive-grade N-channel 650 V, 0.042 Ohm typ., 60 A MDmesh DM2 Power МОП-транзистор in a TO-247 package
Основные
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
продуктPower MOSFET
размер фабричной упаковки600
тип продуктаMOSFET
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
серияSTW65N65DM2AG
длина20.15 mm
время нарастания13.5 ns
время спада11.5 ns
коммерческое обозначениеMDmesh
pd - рассеивание мощности446 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
id - непрерывный ток утечки60 A
qg - заряд затвора27 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток50 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток650 V
vgs - напряжение затвор-исток25 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
типичное время задержки выключения114 ns
типичное время задержки при включении33 ns
Высота 5.15 мм
ТипHigh Voltage
Ширина15.75 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль