Name: NHDTA114YTVL, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Одиночный PNP, 80 В, 100 мА, 10 кОм, 47 кОм
SKU: NHDTA114YTVL

Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) PNP - с предварительным смещением 80 В 100 мА 150 МГц 250 мВт Поверхностный монтаж TO-236AB

Подробное описание

Вес и габариты
base product number	NHDTA114 ->
current - collector cutoff (max)	100nA
current - collector (ic) (max)	100mA

43 ₽

– +

Бонус: 0.86 !

Бонусная программа

Итого: 43 ₽

Купить

Вес и габариты
base product number	NHDTA114 ->
current - collector cutoff (max)	100nA
current - collector (ic) (max)	100mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce	100 @ 10mA, 5V
eccn	EAR99
frequency - transition	150MHz
htsus	8541.21.0075
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Surface Mount
package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
power - max	250mW
resistor - base (r1)	10 kOhms
resistor - emitter base (r2)	47 kOhms
series	Automotive, AEC-Q101 ->
supplier device package	TO-236AB
transistor type	PNP - Pre-Biased
vce saturation (max) @ ib, ic	100mV @ 500ВµA, 10mA
вес, г	0.024
voltage - collector emitter breakdown (max)	80V

Отзывов нет

Кнопки