BC857BLP-7B

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes BC857BLP-7B
Дата загрузки22.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
130
+
Бонус: 2.6 !
Бонусная программа
Итого: 130
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки22.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
частота перехода ft100МГц
collector- base voltage vcbo:50 V
collector-emitter saturation voltage:250 mV
collector- emitter voltage vceo max:45 V
configuration:Single
continuous collector current:-100 mA
dc collector/base gain hfe min:220 at-2 mA, -5 V
dc усиление тока hfe220hFE
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:10000
gain bandwidth product ft:100 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
количество выводов3вывод(-ов)
квалификация-
линейка продукцииBC857 Series
максимальная рабочая температура150°C
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum dc collector current:100 mA
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
монтаж транзистораSurface Mount
mounting style:SMD/SMT
package / case:DFN1006-3
партномер8007604129
pd - power dissipation:400 mW
полярность транзистораPNP
power dissipation1Вт
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:BC857B
стиль корпуса транзистораX1-DFN1006
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:PNP
Время загрузки22:22:36
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль