STQ2LN60K3-AP, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 600 В, 600 мА, 4 Ом, TO-92, Through Hole

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: STQ2LN60K3-AP
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыМОП-транзистор N-Ch 600V 4 Ohm 0.6A SuperMESH3 FET TO92
Основные
вес, г0.25
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура150 C
140
+
Бонус: 2.8 !
Бонусная программа
Итого: 140
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыМОП-транзистор N-Ch 600V 4 Ohm 0.6A SuperMESH3 FET TO92
Основные
вес, г0.25
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки2000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковкаAmmo Pack
упаковка / блокTO-92-3
серияSTQ2LN60K3-AP
время нарастания8.5 ns
время спада21 ns
линейка продукцииMDmesh K3 Series
коммерческое обозначениеMDmesh
количество выводов3вывод(-ов)
pd - рассеивание мощности2.5 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
channel typeN Channel
рассеиваемая мощность2.5Вт
power dissipation2.5Вт
напряжение истока-стока vds600В
id - непрерывный ток утечки600 mA
qg - заряд затвора12 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток4.5 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4.5 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN Канал
типичное время задержки выключения23.5 ns
типичное время задержки при включении10 ns
стиль корпуса транзистораTO-92
непрерывный ток стока600мА
сопротивление во включенном состоянии rds(on)4Ом
напряжение измерения rds(on)10В
пороговое напряжение vgs3.75В
монтаж транзистораThrough Hole
drain source on state resistance4Ом
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль