Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFETSilicon Power MOSFETsROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs feature ultra-fast switching speeds and low on-resistance. These MOSFETs are available in a wide lineup of packages, including the miniature 0604 size to save space in various designs.

Подробное описание

Вес и габариты
channel mode:	Enhancement
configuration:	Single
factory pack quantity: factory pack quantity:	2500

Все характеристики

740 ₽

– +

Бонус: 14.8 !

Бонусная программа

Итого: 740 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Вес и габариты
channel mode:	Enhancement
configuration:	Single
factory pack quantity: factory pack quantity:	2500
fall time:	28.5 ns
id - continuous drain current:	80 A
manufacturer:	ROHM Semiconductor
maximum operating temperature:	+150 C
minimum operating temperature:	-55 C
mounting style:	SMD/SMT
number of channels:	1 Channel
package/case:	HSOP-8
packaging:	Reel, Cut Tape
pd - power dissipation:	34 W
product category:	MOSFET
product type:	MOSFET
qg - gate charge:	42.8 nC
rds on - drain-source resistance:	2.1 mOhms
rise time:	15.6 ns
subcategory:	MOSFETs
technology:	Si
transistor polarity:	N-Channel
transistor type:	1 N-Channel
typical turn-off delay time:	74.6 ns
typical turn-on delay time:	21.8 ns
vds - drain-source breakdown voltage:	30 V
вес, г	0.77
vgs - gate-source voltage:	-20 V, +20 V
vgs th - gate-source threshold voltage:	1.2 V

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

RS1E321GNTB1, MOSFET 30V N-CHANNEL 80A