STP80NF70

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Транзисторы и сборки MOSFETкол-во в упаковке: 50, корпус: TO220N-канал 68V 98A (Tc) 190W (Tc) сквозное отверстие TO-220AB
Основные
вес, г2.594
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
64
+
Бонус: 1.28 !
Бонусная программа
Итого: 64
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы и сборки MOSFETкол-во в упаковке: 50, корпус: TO220N-канал 68V 98A (Tc) 190W (Tc) сквозное отверстие TO-220AB
Основные
вес, г2.594
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-220-3
rohs statusROHS3 Compliant
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-220AB
seriesSTripFETв„ў II ->
base product numberSTP80 ->
Вес и габариты
technologyMOSFET (Metal Oxide)
other related documentshttp://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
current - continuous drain (id) @ 25в°c98A (Tc)
drain to source voltage (vdss)68V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs75nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds2550pF @ 25V
power dissipation (max)190W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs9.8mOhm @ 40A, 10V
vgs (max)В±20V
vgs(th) (max) @ id4V @ 250ВµA
rds on - drain-source resistance9.8mО© @ 40A,10V
transistor polarityN Channel
vds - drain-source breakdown voltage68V
vgs - gate-source voltage4V @ 250uA
continuous drain current (id) @ 25в°c98A(Tc)
power dissipation-max (ta=25в°c)190W(Tc)
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль