FCX789ATA, Bipolar Transistors - BJT PNP High Gain
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FCX789ATA
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT PNP High Gain
| Дата загрузки | 23.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 0.052 |
| Высота | 1.5 mm |
| Информация о производителе | |
| Производитель | DIODES INC. |
| Бренд | DIODES INC. |
| Основные | |
| automotive | No |
| configuration | Single Dual Collector |
| длина | 4.5 mm |
| eccn (us) | ear99 |
| eu rohs | compliant |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс. | 300 |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 300 at 10 mA, 2 V, 230 at 1 A, 2 V, 180 at 2 A, 2 |
| конфигурация | Single |
| lead shape | Flat |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| material | Si |
| maximum base emitter saturation voltage (v) | 0.9 10mA 1A |
| maximum collector base voltage (v) | 25 |
| maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 0.19 10mA 1A|0.4 20mA 2A|0.32 100mA 3A |
| maximum collector-emitter voltage (v) | 25 |
| maximum dc collector current (a) | 3 |
| maximum emitter base voltage (v) | 7 |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation (mw) | 2000 |
| maximum transition frequency (mhz) | 100(Min) |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum dc current gain | 300 10mA 2V|230 1A 2V|180 2A 2V|75 6A 2V |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| mounting | surface mount |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 5 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 25 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 25 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 250 mV |
| непрерывный коллекторный ток | 3 A |
| number of elements per chip | 1 |
| packaging | Tape and Reel |
| партномер | 8006358704 |
| part status | active |
| pcb changed | 3 |
| pd - рассеивание мощности | 2000 mW |
| pin count | 4 |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | PNP |
| ppap | No |
| product category | Bipolar Power |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 100 MHz |
| размер фабричной упаковки | 1000 |
| серия | FCX789 |
| standard package name | SOT |
| supplier package | SOT-89 |
| tab | Tab |
| технология | Si |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | Diodes Incorporated |
| type | PNP |
| упаковка / блок | SOT-89-3 |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| Время загрузки | 0:07:34 |
| Ширина | 2.5 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
