ZVP3306FTA, Транзистор P-MOSFET, полевой, -60В, -1,6А, 330мВт, SOT23
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ZVP3306FTA
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа P\Транзисторы с каналом P SMD МОП-транзистор с каналом P, от 40 до 90 В, Diodes Inc.
Информация о производителе | |
Производитель | DiodesZetex |
Основные | |
вес, г | 0.01 |
moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
mounting type | Surface Mount |
operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
package / case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
rohs status | ROHS3 Compliant |
вид монтажа | SMD/SMT |
категория продукта | МОП-транзистор |
максимальная рабочая температура | +150 °C |
минимальная рабочая температура | -55 °C |
подкатегория | MOSFETs |
продукт | MOSFET Small Signal |
размер фабричной упаковки | 3000 |
тип продукта | MOSFET |
торговая марка | Diodes Incorporated |
упаковка / блок | SOT-23-3 |
eccn | EAR99 |
htsus | 8541.21.0095 |
серия | ZVP3306 |
reach status | REACH Unaffected |
supplier device package | SOT-23-3 |
длина | 3.05 |
время нарастания | 8 ns |
время спада | 8 ns |
тип корпуса | SOT-23 |
тип монтажа | Surface Mount |
число контактов | 3 |
размеры | 3.05 x 1.4 x 1мм |
manufacturer | VBsemi Elec |
packaging | Tape & Reel (TR) |
pd - рассеивание мощности | 330 mW |
количество каналов | 1 Channel |
Вес и габариты | |
технология | Si |
количество элементов на ис | 1 |
максимальное рассеяние мощности | 330 мВт |
конфигурация | Single |
тип канала | A, P |
technology | MOSFET (Metal Oxide) |
transistor configuration | Одинарный |
id - непрерывный ток утечки | 90 mA |
rds вкл - сопротивление сток-исток | 14 Ohms |
vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.5 V |
канальный режим | Enhancement |
крутизна характеристики прямой передачи - мин. | 60 mS |
полярность транзистора | P-Channel |
тип транзистора | 1 P-Channel |
типичное время задержки выключения | 8 нс |
типичное время задержки при включении | 8 ns |
максимальное сопротивление сток-исток | 14 Ω |
максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
maximum gate threshold voltage | 3.5V |
максимальное напряжение сток-исток | 60 В |
номер канала | Поднятие |
current - continuous drain (id) @ 25в°c | 90mA (Ta) |
drain to source voltage (vdss) | 60V |
drive voltage (max rds on, min rds on) | 10V |
fet type | P-Channel |
input capacitance (ciss) (max) @ vds | 50pF @ 18V |
power dissipation (max) | 330mW (Ta) |
rds on (max) @ id, vgs | 14Ohm @ 200mA, 10V |
vgs (max) | В±20V |
vgs(th) (max) @ id | 3.5V @ 1mA |
максимальный непрерывный ток стока | 90 мА |
материал транзистора | Кремний |
типичное время задержки включения | 8 нс |
категория | Малый сигнал |
типичная входная емкость при vds | 50 пФ при 18 В |
Высота | 1 мм |
Тип | FET |
Ширина | 1.4 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26