ZVP3306FTA, Транзистор P-MOSFET, полевой, -60В, -1,6А, 330мВт, SOT23

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ZVP3306FTA
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа P\Транзисторы с каналом P SMD МОП-транзистор с каналом P, от 40 до 90 В, Diodes Inc.
DiodesZetex
Информация о производителе
ПроизводительDiodesZetex
Основные
вес, г0.01
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
79
+
Бонус: 1.58 !
Бонусная программа
Итого: 79
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа P\Транзисторы с каналом P SMD МОП-транзистор с каналом P, от 40 до 90 В, Diodes Inc.
Информация о производителе
ПроизводительDiodesZetex
Основные
вес, г0.01
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+150 °C
минимальная рабочая температура-55 °C
подкатегорияMOSFETs
продуктMOSFET Small Signal
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковка / блокSOT-23-3
eccnEAR99
htsus8541.21.0095
серияZVP3306
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageSOT-23-3
длина3.05
время нарастания8 ns
время спада8 ns
тип корпусаSOT-23
тип монтажаSurface Mount
число контактов3
размеры3.05 x 1.4 x 1мм
manufacturerVBsemi Elec
packagingTape & Reel (TR)
pd - рассеивание мощности330 mW
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
количество элементов на ис1
максимальное рассеяние мощности330 мВт
конфигурацияSingle
тип каналаA, P
technologyMOSFET (Metal Oxide)
transistor configurationОдинарный
id - непрерывный ток утечки90 mA
rds вкл - сопротивление сток-исток14 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.5 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.60 mS
полярность транзистораP-Channel
тип транзистора1 P-Channel
типичное время задержки выключения8 нс
типичное время задержки при включении8 ns
максимальное сопротивление сток-исток14 Ω
максимальное напряжение затвор-исток-20 В, +20 В
maximum gate threshold voltage3.5V
максимальное напряжение сток-исток60 В
номер каналаПоднятие
current - continuous drain (id) @ 25в°c90mA (Ta)
drain to source voltage (vdss)60V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeP-Channel
input capacitance (ciss) (max) @ vds50pF @ 18V
power dissipation (max)330mW (Ta)
rds on (max) @ id, vgs14Ohm @ 200mA, 10V
vgs (max)В±20V
vgs(th) (max) @ id3.5V @ 1mA
максимальный непрерывный ток стока90 мА
материал транзистораКремний
типичное время задержки включения8 нс
категорияМалый сигнал
типичная входная емкость при vds50 пФ при 18 В
Высота 1 мм
ТипFET
Ширина1.4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль