Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE
Основные
вес, г
0.33
вид монтажа
Through Hole
категория продукта
МОП-транзистор
максимальная рабочая температура
+ 150 C
минимальная рабочая температура
55 C
подкатегория
MOSFETs
размер фабричной упаковки
1000
тип продукта
MOSFET
торговая марка
STMicroelectronics
упаковка
Tube
упаковка / блок
TO-220-3
серия
STP12N50M2
время нарастания
10.5 ns
время спада
34.5 ns
коммерческое обозначение
MDmesh
pd - рассеивание мощности
85 W
количество каналов
1 Channel
Вес и габариты
технология
Si
конфигурация
Single
id - непрерывный ток утечки
10 A
qg - заряд затвора
15 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток
380 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток
500 V
vgs - напряжение затвор-исток
25 V, + 25 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3 V
канальный режим
Enhancement
полярность транзистора
N-Channel
типичное время задержки выключения
8 ns
типичное время задержки при включении
13.5 ns
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26