FP50R12KT4G_B15
В избранноеВ сравнение

- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 50A 1200V
Отзывов нет
![2SD5703, Транзистор биполярный, NPN, Ic=10А, Vceo=800В, Vcbo=1500В, Pd=70Вт , hFE= 15…40 [TO-3PML] 2SD5703, Транзистор биполярный, NPN, Ic=10А, Vceo=800В, Vcbo=1500В, Pd=70Вт , hFE= 15…40 [TO-3PML]](/wa-data/public/shop/products/64/46/184664/images/220867/220867.300x0.jpg)










