STP11NK40ZFP, Trans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: STP11NK40ZFP
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFETМОП-транзистор N-Ch, 400V-0.49ohms Zener SuperMESH 9A
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
130
+
Бонус: 2.6 !
Бонусная программа
Итого: 130
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFETМОП-транзистор N-Ch, 400V-0.49ohms Zener SuperMESH 9A
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-220-3 Full Pack
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки1000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220FP-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияSTP11NK40ZFP
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-220FP
длина10.4 mm
время нарастания20 ns
время спада18 ns
pin count3
packagingTube
product categoryPower MOSFET
seriesSuperMESHв„ў ->
pd - рассеивание мощности30 W
количество каналов1 Channel
automotiveNo
eu rohsCompliant with Exemption
lead shapeThrough Hole
maximum operating temperature (°c)150
mountingThrough Hole
part statusActive
pcb changed3
ppapNo
standard package nameTO-220
supplier packageTO-220FP
base product numberSTP11 ->
eccn (us)EAR99
maximum power dissipation (mw)30000
minimum operating temperature (°c)-55
configurationSingle
process technologySuperMESH
Вес и габариты
технологияSi
number of elements per chip1
конфигурацияSingle
channel typeN
technologyMOSFET (Metal Oxide)
other related documentshttp://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
tabTab
id - непрерывный ток утечки9 A
qg - заряд затвора32 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток550 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток400 V
vgs - напряжение затвор-исток10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.5.8 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel Power MOSFET
типичное время задержки выключения40 ns
типичное время задержки при включении20 ns
channel modeEnhancement
maximum continuous drain current (a)9
maximum drain source resistance (mohm)550 10V
maximum drain source voltage (v)400
maximum gate source voltage (v)±30
typical fall time (ns)18
typical gate charge @ 10v (nc)32
typical gate charge @ vgs (nc)32 10V
typical input capacitance @ vds (pf)930 25V
typical rise time (ns)20
typical turn-off delay time (ns)40
typical turn-on delay time (ns)20
current - continuous drain (id) @ 25в°c9A (Tc)
drain to source voltage (vdss)400V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs32nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds930pF @ 25V
power dissipation (max)30W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs550mOhm @ 4.5A, 10V
vgs (max)В±30V
vgs(th) (max) @ id4.5V @ 100ВµA
Высота 9.3 мм
Ширина4.6 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль