IPD80R1K4P7ATMA1, Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IPD80R1K4P7ATMA1
МОП-транзистор LOW POWER_NEW
Вес и габариты
channel modeEnhancement
channel typeN
длина6.5 mm
250
+
Бонус: 5 !
Бонусная программа
Итого: 250
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор LOW POWER_NEW
Вес и габариты
channel modeEnhancement
channel typeN
длина6.5 mm
другие названия товара №IPD80R1K4P7 SP001422564
forward diode voltage0.9V
Высота 2.3 мм
id - непрерывный ток утечки4 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
коммерческое обозначениеCoolMOS
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
maximum continuous drain current4 A
maximum drain source resistance1.4 Ω
maximum drain source voltage800 V
maximum gate source voltage-30 V, +30 V
maximum gate threshold voltage3.5V
maximum operating temperature+150 C
maximum power dissipation32 W
минимальная рабочая температура55 C
minimum gate threshold voltage2.5V
minimum operating temperature-55 C
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
package typeDPAK(TO-252)
pd - рассеивание мощности32 W
pin count3
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора10 nC
размер фабричной упаковки2500
rds вкл - сопротивление сток-исток1.4 Ohms
seriesCoolMOS P7
серияCoolMOS P7
технологияSi
типичное время задержки при включении10 ns
типичное время задержки выключения40 ns
тип продуктаMOSFET
торговая маркаInfineon Technologies
typical gate charge @ vgs10 nC 10 V
упаковкаReel, Cut Tape
упаковка / блокTO-252-3
vds - напряжение пробоя сток-исток800 V
vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания8 ns
время спада20 ns
Ширина6.22 мм
width6.22mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль