STP45N60DM6, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 19А, Idm: 95А, 210Вт, TO220-3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: STP45N60DM6
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE
Основные
вес, г2.5
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
1 460
+
Бонус: 29.2 !
Бонусная программа
Итого: 1 460
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE
Основные
вес, г2.5
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-220-3
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки1000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияSTP45N60DM6
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-220
время нарастания5.3 ns
время спада7.3 ns
коммерческое обозначениеMDmesh
seriesMDmeshв„ў DM6 ->
pd - рассеивание мощности210 W
количество каналов1 Channel
base product numberSTP45 ->
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
technologyMOSFET (Metal Oxide)
id - непрерывный ток утечки30 A
qg - заряд затвора44 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток99 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
vgs - напряжение затвор-исток25 V, + 25 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3.25 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения50 ns
типичное время задержки при включении15 ns
current - continuous drain (id) @ 25в°c30A (Tc)
drain to source voltage (vdss)600V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs44nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds1920pF @ 100V
power dissipation (max)210W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs99mOhm @ 15A, 10V
vgs (max)В±25V
vgs(th) (max) @ id4.75V @ 250ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль