STFW3N150

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
N-Channel MDmesh ™, 800 В / 1500 В, STMicroelectronics
Основные
package / caseTO-3PF-3
максимальная рабочая температура+150 °C
минимальная рабочая температура-55 °C
тип корпусаTO-3PF
2 250
+
Бонус: 45 !
Бонусная программа
Итого: 2 250
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
N-Channel MDmesh ™, 800 В / 1500 В, STMicroelectronics
Основные
package / caseTO-3PF-3
максимальная рабочая температура+150 °C
минимальная рабочая температура-55 °C
тип корпусаTO-3PF
тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
число контактов3
length15.7мм
factory pack quantity300
manufacturerSTMicroelectronics
maximum operating temperature+150 C
mounting styleThrough Hole
packagingTube
product categoryMOSFET
product typeMOSFET
seriesMDmesh
subcategoryMOSFETs
configurationSingle
fall time61 ns
rise time47 ns
number of channels1 Channel
Вес и габариты
tradenamePowerMESH
количество элементов на ис1
тип каналаN
technologySi
pd - power dissipation63 W
максимальное напряжение затвор-исток-30 В, +30 В
transistor materialКремний
конфигурация транзистораОдинарный
maximum drain source resistance9 Ω
максимальное напряжение сток-исток1500 В
типичный заряд затвора при vgs29,3 нКл при 10 В
channel modeПоднятие
максимальный непрерывный ток стока2,5 А
rds on - drain-source resistance9 Ohms
transistor polarityN-Channel
vds - drain-source breakdown voltage1.5 kV
vgs - gate-source voltage10 V
id - continuous drain current2.5 A
maximum power dissipation63 Вт
typical turn-on delay time24 ns
typical turn-off delay time45 ns
минимальное пороговое напряжение включения3V
forward transconductance - min2.6 S
qg - gate charge29.3 nC
transistor type1 N-Channel Power MOSFET
vgs th - gate-source threshold voltage3 V
максимальное пороговое напряжение включения5V
Высота 26.7 мм
Ширина5.7 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль