BFR 360F H6765, RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\RF TransistorsРЧ-транзисторыРЧ-транзисторы Infineon включают малошумящие усилители и транзисторы с высокой линейностью. Устройства категории Low Noise основаны на кремниевой биполярной технологии. Умеренная частота перехода fT < 20 ГГц обеспечивает простоту использования и стабильность. Напряжение пробоя может безопасно поддерживать напряжение питания 5В. Эти транзисторы подходят для использования с AM в диапазонах VHF/UHF до 14 ГГц. Транзисторы с высокой линейностью обеспечивают OIP3 (выходная точка пересечения 3-го порядка) выше 29 дБм. Они основаны на кремниевых биполярах Infineon для больших объемов и технологиях SiGe:C, обеспечивающих лучшие в своем классе показатели шума. Эти устройства идеально подходят для драйверов, предусилителей и буферных усилителей.