STF4N90K5

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
720
+
Бонус: 14.4 !
Бонусная программа
Итого: 720
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-220-3
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки1000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияSTF4N90K5
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-220FP
время нарастания11.8 ns
время спада25.5 ns
коммерческое обозначениеMDmesh
seriesMDmeshв„ў K5 ->
pd - рассеивание мощности20 W
количество каналов1 Channel
base product numberSTF4N90 ->
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
technologyMOSFET (Metal Oxide)
id - непрерывный ток утечки4 A
qg - заряд затвора5.3 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток1.9 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток900 V
vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения26.4 ns
типичное время задержки при включении10.5 ns
current - continuous drain (id) @ 25в°c4A (Tc)
drain to source voltage (vdss)900V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs5.3nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds173pF @ 100V
power dissipation (max)20W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs2.1Ohm @ 1A, 10V
vgs (max)В±30V
vgs(th) (max) @ id5V @ 100ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль