Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFETМОП-транзистор N-Chan 400V 2.0 Amp

Подробное описание

Основные
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C

59 ₽

– +

Бонус: 1.18 !

Бонусная программа

Итого: 59 ₽

Купить

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFETМОП-транзистор N-Chan 400V 2.0 Amp

Основные
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	50
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Vishay / Siliconix
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-220AB-3
серия	IRF
время нарастания	9.9 ns
время спада	11 ns
pd - рассеивание мощности	36 W
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
id - непрерывный ток утечки	2 A
qg - заряд затвора	17 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	3.6 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток	400 V
vgs - напряжение затвор-исток	10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
канальный режим	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	1 S
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	21 ns
типичное время задержки при включении	8 ns

Отзывов нет

Кнопки