STD2HNK60Z-1, Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: STD2HNK60Z-1
МОП-транзистор N-Ch, 600V-4.4ohms Zener SuperMESH 2A
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
92
+
Бонус: 1.84 !
Бонусная программа
Итого: 92
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор N-Ch, 600V-4.4ohms Zener SuperMESH 2A
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковкаTube
упаковка / блокTO-251-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияSTD2HNK60Z-1
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageI-PAK
длина6.6 mm
время нарастания30 ns
время спада50 ns
коммерческое обозначениеSuperMESH
pin count3
packagingTube
product categoryPower MOSFET
seriesSuperMESHв„ў ->
pd - рассеивание мощности45 W
количество каналов1 Channel
automotiveNo
eu rohsCompliant with Exemption
lead shapeThrough Hole
maximum operating temperature (°c)150
mountingThrough Hole
part statusActive
pcb changed3
standard package nameTO-251
supplier packageIPAK
base product numberSTD2HNK60 ->
eccn (us)EAR99
maximum power dissipation (mw)45000
minimum operating temperature (°c)-55
configurationSingle
hts8541.29.00.95
package height6.2(Max)
package length6.6(Max)
package width2.4(Max)
process technologySuperMESH
Вес и габариты
технологияSi
number of elements per chip1
конфигурацияSingle
channel typeN
technologyMOSFET (Metal Oxide)
other related documentshttp://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
tabTab
id - непрерывный ток утечки2 A
qg - заряд затвора11 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток4.8 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3.75 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.1.5 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения13 ns
типичное время задержки при включении10 ns
channel modeEnhancement
maximum continuous drain current (a)2
maximum drain source resistance (mohm)4800@10V
maximum drain source voltage (v)600
maximum gate source voltage (v)±30
typical fall time (ns)50
typical gate charge @ 10v (nc)11
typical gate charge @ vgs (nc)11@10V
typical input capacitance @ vds (pf)280@25V
typical rise time (ns)30
typical turn-off delay time (ns)13
typical turn-on delay time (ns)10
current - continuous drain (id) @ 25в°c2A (Tc)
drain to source voltage (vdss)600V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs15nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds280pF @ 25V
power dissipation (max)45W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs4.8Ohm @ 1A, 10V
vgs (max)В±30V
vgs(th) (max) @ id4.5V @ 50ВµA
militaryNo
Высота 6.2 мм
Ширина2.4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль