MJD31CT4, Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MJD31CT4
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ST Microelectronics MJD31CT4, Bipolar Transistors - BJT NPN Gen ...
STMicroelectronics
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г01.08.2024
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
БрендSTMicroelectronics
280
+
Бонус: 5.6 !
Бонусная программа
Итого: 280
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTСтандартные продуктыСтандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г01.08.2024
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
БрендSTMicroelectronics
Основные
collector- base voltage vcbo100 V
collector- base voltage vcbo:100 V
collector-emitter saturation voltage1.2 V
collector-emitter saturation voltage:1.2 V
collector- emitter voltage vceo max100 V
collector- emitter voltage vceo max:100 V
configurationSingle
configuration:Single
continuous collector current3 A
continuous collector current:3 A
dc collector/base gain hfe min20
dc collector/base gain hfe min:20
emitter- base voltage vebo5 V
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity2500
factory pack quantity: factory pack quantity:2500
height2.4 mm(Max)
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
length6.6 mm(Max)
manufacturerSTMicroelectronics
manufacturer:STMicroelectronics
maximum collector base voltage100 V
maximum collector emitter voltage100 V
maximum dc collector current3 A
maximum dc collector current:3 A
maximum emitter base voltage5 V
maximum operating temperature+150 C
maximum operating temperature:+150 C
maximum power dissipation15 W
minimum operating temperature-65 C
mounting styleSMD/SMT
mounting style:SMD/SMT
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
package / caseTO-252-3
package/case:TO-252-3
package typeDPAK(TO-252)
packagingReel
партномер8004826868
pd - power dissipation15 W
pd - power dissipation:15 W
pin count3
product categoryBipolar Transistors-BJT
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
rohsDetails
seriesMJD31CT4
series:MJD31C
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor configurationSingle
transistor polarityNPN
transistor polarity:NPN
transistor typeNPN
Время загрузки13:58:40
width6.2 mm(Max)
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль