IRFH7084TRPBF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
IRFH7084TRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 40A 8-Pin PQFN EP T/R - Arrow.com Силовые полевые МОП-транзисторы StrongIRFET ™ Семейство силовых полевых МОП-транзисторов Infineon StrongIRFET ™ оптимизировано для работы с низким R DS (включено) и высоким током. Эти устройства идеально подходят для низкочастотных приложений, требующих высокой производительности и надежности. Эти полевые МОП-транзисторы обладают самой высокой пропускной способностью по току в отрасли. Эта особенность...
Вес и габариты
channel mode:Enhancement
configuration:Single
factory pack quantity: factory pack quantity:4000
430
+
Бонус: 8.6 !
Бонусная программа
Итого: 430
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
IRFH7084TRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 40A 8-Pin PQFN EP T/R - Arrow.com Силовые полевые МОП-транзисторы StrongIRFET ™ Семейство силовых полевых МОП-транзисторов Infineon StrongIRFET ™ оптимизировано для работы с низким R DS (включено) и высоким током. Эти устройства идеально подходят для низкочастотных приложений, требующих высокой производительности и надежности. Эти полевые МОП-транзисторы обладают самой высокой пропускной способностью по току в отрасли. Эта особенность приводит к повышенной устойчивости и надежности для приложений с высокой удельной мощностью, требующих высокой эффективности и надежности.
Вес и габариты
channel mode:Enhancement
configuration:Single
factory pack quantity: factory pack quantity:4000
fall time:34 ns
forward transconductance - min:120 S
id - continuous drain current:265 A
manufacturer:Infineon
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
number of channels:1 Channel
package/case:PQFN-8
packaging:Reel, Cut Tape, MouseReel
part # aliases:IRFH7084TRPBF SP001551936
pd - power dissipation:156 W
product category:MOSFET
product type:MOSFET
qg - gate charge:127 nC
rds on - drain-source resistance:950 uOhms
rise time:31 ns
subcategory:MOSFETs
technology:Si
tradename:StrongIRFET
transistor polarity:N-Channel
transistor type:1 N-Channel
typical turn-off delay time:64 ns
typical turn-on delay time:16 ns
vds - drain-source breakdown voltage:40 V
vgs - gate-source voltage:-20 V, +20 V
vgs th - gate-source threshold voltage:3.9 V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль