STD13NM60ND, N-Channel MOSFET, 11 A, 600 V, 3-Pin DPAK STD13NM60ND

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: STD13NM60ND
MOSFETsМОП-транзистор N-CH 600V 0.32Ohm 11A MDmesh II Plus
Основные
вес, г5
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
920
+
Бонус: 18.4 !
Бонусная программа
Итого: 920
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
MOSFETsМОП-транзистор N-CH 600V 0.32Ohm 11A MDmesh II Plus
Основные
вес, г5
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки2500
тип продуктаMOSFET
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковкаTube
упаковка / блокTO-252-3
серияSTD13NM60ND
время нарастания10 ns
время спада15.4 ns
линейка продукцииFDmesh II
количество выводов3вывод(-ов)
pd - рассеивание мощности109 W
количество каналов1 Channel
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
channel typeN Channel
рассеиваемая мощность109Вт
power dissipation109Вт
напряжение истока-стока vds600В
id - непрерывный ток утечки11 A
qg - заряд затвора24.5 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток380 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток650 V
vgs - напряжение затвор-исток25 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4 V
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения9.6 ns
типичное время задержки при включении46.5 ns
стиль корпуса транзистораTO-252(DPAK)
непрерывный ток стока11А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.32Ом
напряжение измерения rds(on)10В
пороговое напряжение vgs
монтаж транзистораSurface Mount
drain source on state resistance0.32Ом
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль