NTD5865NLT4G, Trans MOSFET N-CH 60V 46A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NTD5865NLT4G
Diodes, Transistors and Thyristors\FET Transistors\MOSFETsTrans MOSFET N-CH 60V 46A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Вес и габариты
automotiveNo
channel modeEnhancement
channel typeN
240
+
Бонус: 4.8 !
Бонусная программа
Итого: 240
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Diodes, Transistors and Thyristors\FET Transistors\MOSFETsTrans MOSFET N-CH 60V 46A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Вес и габариты
automotiveNo
channel modeEnhancement
channel typeN
configurationSingle
drain source on state resistance0.016Ом
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant with Exemption
количество выводов3вывод(-ов)
lead shapeGull-wing
максимальная рабочая температура150 C
maximum continuous drain current (a)46
maximum drain source resistance (mohm)16 10V
maximum drain source voltage (v)60
maximum gate source voltage (v)±20
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)71000
minimum operating temperature (°c)-55
монтаж транзистораSurface Mount
mountingSurface Mount
напряжение истока-стока vds60В
напряжение измерения rds(on)10В
непрерывный ток стока46А
number of elements per chip1
packagingTape and Reel
part statusLTB
pcb changed2
pin count3
полярность транзистораN Канал
пороговое напряжение vgs
power dissipation52Вт
ppapNo
product categoryPower MOSFET
рассеиваемая мощность52Вт
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.016Ом
standard package nameTO-252
стиль корпуса транзистораTO-252(DPAK)
supplier packageDPAK
tabTab
typical fall time (ns)4.4
typical gate charge @ 10v (nc)29
typical gate charge @ vgs (nc)29 10V|15 4.5V
typical input capacitance @ vds (pf)1400 25V
typical rise time (ns)12.4
typical turn-off delay time (ns)26
typical turn-on delay time (ns)8.4
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль