SIZ926DT-T1-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 25V Vds 16V Vgs PowerPAIR 6 x 5
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
390
+
Бонус: 7.8 !
Бонусная программа
Итого: 390
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 25V Vds 16V Vgs PowerPAIR 6 x 5
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковка / блокPowerPAIR-6x5-8
серияSIZ
время нарастания20 ns
время спада8 ns
коммерческое обозначениеTrenchFET
pd - рассеивание мощности20.2 W, 40 W
количество каналов2 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияDual
id - непрерывный ток утечки40 A, 60 A
qg - заряд затвора12.5 nC, 27 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток2.2 mOhms, 4.8 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток25 V
vgs - напряжение затвор-исток12 V, 16 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.2 V
полярность транзистораN-Channel
типичное время задержки выключения12 ns, 17 ns
типичное время задержки при включении8 ns, 10 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль