SIRA12BDP-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 60 А, 0.0027 Ом, PowerPAK SO, Surface Mount

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SIRA12BDP-T1-GE3
МОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Основные
вес, г3
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
160
+
Бонус: 3.2 !
Бонусная программа
Итого: 160
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Основные
вес, г3
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковкаReel, Cut Tape
упаковка / блокPowerPAK-SO-8
серияSIR
время нарастания20 ns
время спада10 ns
коммерческое обозначениеTrenchFET, PowerPAK
pd - рассеивание мощности38 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки60 A
qg - заряд затвора21 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток4.3 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
vgs - напряжение затвор-исток16 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.2 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.67 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения15 ns
типичное время задержки при включении10 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль