Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор МОП-транзисторBVDSS: >800V

Подробное описание

330 ₽

– +

Бонус: 6.6 !

Бонусная программа

Итого: 330 ₽

Купить

Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки	2.5 A
канальный режим	Enhancement
категория продукта	МОП-транзистор
количество каналов	1 Channel
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
pd - рассеивание мощности	30 W
подкатегория	MOSFETs
полярность транзистора	N-Channel
qg - заряд затвора	7.9 nC
размер фабричной упаковки	50
rds вкл - сопротивление сток-исток	5.5 Ohms
технология	Si
типичное время задержки при включении	16 ns
типичное время задержки выключения	17.6 ns
тип продукта	MOSFET
тип транзистора	1 N-Channel
торговая марка	Diodes Incorporated
упаковка / блок	ITO-220AB-3
vds - напряжение пробоя сток-исток	900 V
вес, г	1.85
vgs - напряжение затвор-исток	30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
вид монтажа	Through Hole
время нарастания	21 ns
время спада	17 ns

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Кнопки

DMN90H8D5HCTI