Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 30V 9.0A 2.5W 18.5mohm @ 10V

Подробное описание

47 ₽

– +

Бонус: 0.94 !

Бонусная программа

Итого: 47 ₽

Купить

Основные
вес, г	0.187
package / case	SO-8
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	2500
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Vishay / Siliconix
упаковка / блок	SO-8
серия	SI4
длина	4.9 mm
коммерческое обозначение	TrenchFET
factory pack quantity	2500
manufacturer	Vishay
mounting style	SMD/SMT
packaging	Cut Tape or Reel
product category	MOSFET
product type	MOSFET
series	SI4
subcategory	MOSFETs
pd - рассеивание мощности	2.5 W
другие названия товара №	SI4800BDY-GE3
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты
tradename	TrenchFET
технология	Si
конфигурация	Single
part # aliases	SI4800BDY-GE3
technology	Si
id - непрерывный ток утечки	9 A
qg - заряд затвора	13 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	18.5 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
vgs - напряжение затвор-исток	25 V, + 25 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	800 mV
канальный режим	Enhancement
полярность транзистора	N-Channel
Высота	1.75 мм
Ширина	3.9 мм

Отзывов нет

Кнопки

Быстрый просмотр

Быстрый просмотр

Быстрый просмотр

SI4800BDY-T1-GE3