ALD1115PAL

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - ArraysМассив Mosfet N и P-каналы, дополнительные 10,6 В, 500 мВт, сквозное отверстие 8-PDIP
Вес и габариты
california prop 65Warning Information
drain to source voltage (vdss)10.6V
eccnEAR99
1 130
+
Бонус: 22.6 !
Бонусная программа
Итого: 1 130
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - ArraysМассив Mosfet N и P-каналы, дополнительные 10,6 В, 500 мВт, сквозное отверстие 8-PDIP
Вес и габариты
california prop 65Warning Information
drain to source voltage (vdss)10.6V
eccnEAR99
fet featureStandard
fet typeN and P-Channel Complementary
htsus8541.21.0095
input capacitance (ciss) (max) @ vds3pF @ 5V
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature0В°C ~ 70В°C (TJ)
packageTube
package / case8-DIP (0.300"", 7.62mm)
power - max500mW
rds on (max) @ id, vgs1800Ohm @ 5V
rohs statusROHS3 Compliant
supplier device package8-PDIP
vgs(th) (max) @ id1V @ 1ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль