SI1012R-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 20В, 0,35А, 0,08Вт, SC75A
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SI1012R-T1-GE3
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
МОП-транзистор 20V 0.6A 175mW 700mohm @ 4.5V
| Основные | |
| вес, г | 0.1 |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| подкатегория | MOSFETs |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| тип продукта | MOSFET |
| торговая марка | Vishay / Siliconix |
| упаковка / блок | SC-75A-3 |
| серия | SI1 |
| длина | 1.575 mm |
| время нарастания | 5 ns |
| время спада | 11 ns |
| коммерческое обозначение | TrenchFET |
| pd - рассеивание мощности | 175 mW |
| другие названия товара № | SI1012R-GE3 |
| количество каналов | 1 Channel |
| Вес и габариты | |
| технология | Si |
| конфигурация | Single |
| id - непрерывный ток утечки | 600 mA |
| qg - заряд затвора | 750 pC |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 700 mOhms |
| vgs - напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 450 mV |
| канальный режим | Enhancement |
| крутизна характеристики прямой передачи - мин. | 1 S |
| полярность транзистора | N-Channel |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| типичное время задержки выключения | 25 ns |
| типичное время задержки при включении | 5 ns |
| rds on - drain-source resistance | 700mО© @ 600mA,4.5V |
| transistor polarity | N Channel |
| vds - drain-source breakdown voltage | 20V |
| vgs - gate-source voltage | 900mV @ 250uA |
| continuous drain current (id) @ 25в°c | 500mA |
| power dissipation-max (ta=25в°c) | 150mW |
| Высота | 0.8 мм |
| Ширина | 0.76 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
