APT45GR65B

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
APT45GR65B
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
packageTube
package / caseTO-247-3
1 230
+
Бонус: 24.6 !
Бонусная программа
Итого: 1 230
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - IGBTs - SingleIGBT NPT 650V 92A 357W Through Hole TO-247
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
packageTube
package / caseTO-247-3
rohs statusRoHS Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки1
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаMicrochip / Microsemi
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-247
длина21.46 mm
коммерческое обозначениеUltra Fast NPT-IGBT
pd - рассеивание мощности543 W
диапазон рабочих температур55 C to + 150 C
base product numberAPT45GR65 ->
input typeStandard
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.9 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c118 A
ток утечки затвор-эмиттер250 nA
непрерывный коллекторный ток118 A
непрерывный ток коллектора ic, макс.118 A
current - collector (ic) (max)92A
current - collector pulsed (icm)168A
gate charge203nC
igbt typeNPT
power - max357W
switching energy900ВµJ (on), 580ВµJ (off)
td (on/off) @ 25в°c15ns/100ns
vce(on) (max) @ vge, ic2.4V @ 15V, 45A
voltage - collector emitter breakdown (max)650V
test condition433V, 45A, 4.3Ohm, 15V
Высота 5.31 мм
Ширина16.26 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль