MJE350, Транзистор: PNP, биполярный, 300В, 0,5А, 20Вт, SOT32

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MJE350
Биполярные транзисторы - BJT PNP Medium Power
Основные
вес, г1.29
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature150В°C (TJ)
94
+
Бонус: 1.88 !
Бонусная программа
Итого: 94
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT PNP Medium Power
Основные
вес, г1.29
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-225AA, TO-126-3
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура65 C
подкатегорияTransistors
размер фабричной упаковки2000
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковкаTube
упаковка / блокSOT-32-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияMJE350
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageSOT-32-3
длина7.8 mm
pd - рассеивание мощности20.8 W
base product numberMJE350 ->
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
other related documentshttp://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
полярность транзистораPNP
transistor typePNP
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.300 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.5 V
непрерывный коллекторный ток0.5 A
current - collector (ic) (max)500mA
power - max20.8W
voltage - collector emitter breakdown (max)300V
current - collector cutoff (max)100ВµA (ICBO)
максимальный постоянный ток коллектора0.5 A
напряжение коллектор-база (vcbo)3 V
напряжение эмиттер-база (vebo)3 V
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce30 @ 50mA, 10V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)30
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.240
Высота 10.8 мм
Ширина2.7 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль