Name: MJ11033G
Brand: ON Semiconductor***

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MJ11033G

Подробное описание

Дата загрузки	21.02.2024
Вес и габариты
вес, г	14.05.2024
Высота	8.51 mm
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***

Все характеристики

4 500 ₽

– +

Бонус: 90 !

Бонусная программа

Итого: 4 500 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

ЭлектроэлементTRANSISTOR, BIPOL, PNP, 120V, TO-3-2; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-120V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:300W; DC Collector Current:-50A; DC Current Gain hFE:400hFE; Transistor Case Style:TO-3; No. of Pins:2Pins; Operating Temperature Max:200°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:Lead (27-Jun-2018)

Дата загрузки	21.02.2024
Вес и габариты
вес, г	14.05.2024
Высота	8.51 mm
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***
Бренд	ON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo	120 V
collector- emitter voltage vceo max	120 V
configuration	Single
continuous collector current	50 A
dc collector/base gain hfe min	400, 1000
длина	38.86 mm
emitter- base voltage vebo	5 V
factory pack quantity	100
height	8.51 mm
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта	Транзисторы Дарлингтона
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	400, 1000
конфигурация	Single
length	38.86 mm
максимальная рабочая температура	+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора	50 A
manufacturer	ON Semiconductor
maximum base emitter saturation voltage	4.5 V
maximum collector base voltage	120 V
maximum collector emitter saturation voltage	3.5 V
maximum collector emitter voltage	120 V
maximum continuous collector current	50 A
maximum dc collector current	50 A
maximum emitter base voltage	5 V
maximum operating temperature	+150 C
maximum power dissipation	300 W
минимальная рабочая температура	55 C
minimum dc current gain	400
minimum operating temperature	-55 C
mounting style	Through Hole
mounting type	Through Hole
напряжение эмиттер-база (vebo)	5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	120 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	120 V
непрерывный коллекторный ток	50 A
number of elements per chip	1
package / case	TO-204-2(TO-3)
package type	TO-204
packaging	Tray
партномер	8002981895
pd - power dissipation	300 W
pd - рассеивание мощности	300 W
pin count	2
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	PNP
product category	Darlington Transistors
размер фабричной упаковки	100
rohs	Details
series	MJ11033
серия	MJ11033
тип продукта	Darlington Transistors
торговая марка	ON Semiconductor
transistor configuration	Single
transistor polarity	PNP
transistor type	PNP
упаковка	Tray
упаковка / блок	TO-204-2 (TO-3)
вид монтажа	Through Hole
Время загрузки	0:46:04
Ширина	26.67 мм
width	26.67 mm

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

Теги:

ON Semiconductor***Транзисторы биполярные (BJTs)MJ11033G MJ11033